表面技术	PVD	CVD	TD	电镀
原理	PVD技术涉及将材料转化为气态，随后在基材上形成薄膜。它包括蒸镀、溅射和离子镀等过程，适用于生产耐磨、耐腐蚀的装饰性薄膜	CVD技术通过化学反应在基材表面沉积固态薄膜，反应物通常为气体。它适用于制备高纯度和均匀性良好的薄膜，常用于半导体和光学涂层领域。	利用高温使原子或分子在材料表面扩散的过程，主要用于金属表面的渗碳、氮化等处理，以增强硬度和耐磨性	通过电解作用在金属表面形成一层或多层金属或合金的方法。它用于改善金属表面的外观、耐腐蚀性和耐磨性，广泛应用于装饰、防护和功能性表面处理。
表面变化	涂层通常可保持原表面质量-镜面品质可得到保持	难以保持镜面效果（涂层后抛光处理可改善表面品质）	难以保持镜面效果，然后涂层后抛光处理可使表面品质接近镜面	涂层通常可保持元表面质量-镜面品质可得到保持
优点	优点：膜层与基材结合力强，膜层纯净度高，操作温度相对较低，适合处理复杂形状的表面。	优点：可在较低温度下沉积均匀的薄膜，适用于大面积和复杂形状的基材，能够制备多种材料的薄膜。	优点：通过扩散过程在材料表面形成合金层，提升材料表面的耐磨性和耐腐蚀性。	优点：成本较低，操作简便，可镀覆的材料种类繁多，镀层厚度均匀，能够实现多种金属和合金的镀覆。
膜层厚度	1.5-5um	6-10um	5-15um	﹥10um，难以精确控制
涂层硬度	可达Hv4000，深孔及背对离子源部分较难镀层	可达Hv2500可镀到反应气体到达的所有面	涂层硬度：可达Hv3000可镀到熔化盐接触到的所有面	可达Hv1000，可镀到电镀液到达的所有面，但均匀性较差
缺点	缺点：沉积速度较慢，设备成本较高，对真空环境要求严格。	缺点：反应气体可能对环境造成污染，沉积速度和薄膜质量受反应气体纯度影响较大。	缺点：处理温度高，能耗大，处理时间长，对材料的尺寸和形状有一定限制。	缺点：对环境有污染，使用有害化学物质，镀层与基材的结合力相对较弱，容易产生氢脆等问题。
应用范围	适用于有精密配合要求的零件（约+/-.002mm）	需要较为大的配合尺寸	需要较为大的配合尺寸，与CVD相比甚至更大	需要很大的配合尺寸
工艺温度	相对较低的工艺温度（120°～480°C）	高工艺温度250-1000℃（PECVD＜200℃）	高温工艺（900°～1040°C）	低温工艺（﹤100°C）
生产环境	在真空室内完成（真空度1～10-2Pa）	在受控环境或真空下完成	在含有化学品的盐池中完成	在含有化学品的电镀池中进行