表面技术
| PVD | CVD | TD | 电镀 |
| 原理 |
PVD技术涉及将材料转化为气态，随后在基材上形 成薄膜。它包括蒸镀、溅射和离子镀等过程，适用 于生产耐磨、耐腐蚀的装饰性薄膜
| CVD技术通过化学反应在基材表面沉积 固态薄膜，反应物通常为气体。它适用于 制备高纯度和均匀性良好的薄膜，常用于 半导体和光学涂层领域。 | 利用高温使原子或分子在材料表面扩 散的过程，主要用于金属表面的渗碳、 氮化等处理，以增强硬度和耐磨性 | 通过电解作用在金属表面形成一层或多 层金属或合金的方法。它用于改善金属 表面的外观、耐腐蚀性和耐磨性，广泛 应用于装饰、防护和功能性表面处理。 |
| 表面变化 |
涂层通常可保持原表面质量-镜面品质可得到保持
| 难以保持镜面效果（涂层后抛光处理可 改善表面品质） | 难以保持镜面效果，然后涂层后抛光处 理可使表面品质接近镜面 | 涂层通常可保持元表面质量-镜面品质 可得到保持 |
优点
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优点：膜层与基材结合力强，膜层纯净度高，操作 温度相对较低，适合处理复杂形状的表面。
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优点：可在较低温度下沉积均匀的薄膜， 适用于大面积和复杂形状的基材，能够 制备多种材料的薄膜。
| 优点：通过扩散过程在材料表面形成合 金层，提升材料表面的耐磨性和耐 腐蚀性。 | 优点：成本较低，操作简便，可镀覆的材 料种类繁多，镀层厚度均匀，能够实现 多种金属和合金的镀覆。 |
| 膜层厚度 | 1.5-5um | 6-10um | 5-15um | ﹥10um，难以精确控制 |
| 涂层硬度 | 可达Hv4000，深孔及背对离子源部分较难镀层 | 可达Hv2500可镀到反应气体到达的所有面 |
涂层硬度：可达Hv3000可镀到熔化盐 接触到的所有面
| 可达Hv1000，可镀到电镀液到达的所 有面，但均匀性较差 |
缺点
| 缺点：沉积速度较慢，设备成本较高，对真空环境 要求严格。 | 缺点：反应气体可能对环境造成污染， 沉积速度和薄膜质量受反应气体纯度 影响较大。 |
缺点：处理温度高，能耗大，处理时间长， 对材料的尺寸和形状有一定限制。
| 缺点：对环境有污染，使用有害化学物质， 镀层与基材的结合力相对较弱，容易产 生氢脆等问题。 |
| 应用范围 | 适用于有精密配合要求的零件（约+/-.002mm） | 需要较为大的配合尺寸 | 需要较为大的配合尺寸，与CVD相比甚至更大 | 需要很大的配合尺寸 |
| 工艺温度 | 相对较低的工艺温度（120°～480°C） | 高工艺温度250-1000℃（PECVD＜200℃） | 高温工艺（900°～1040°C） | 低温工艺（﹤100°C） |
生产环境
| 在真空室内完成（真空度1～10-2Pa） | 在受控环境或真空下完成 | 在含有化学品的盐池中完成 | 在含有化学品的电镀池中进行 |
